FDD6612A

概述
已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）的 ，快速的开关速度和极低的R DS（ON），在一个小包裹。

特点
30 A，30 V
的R DS（ON）= 20 m宽的V GS = 10V
的R DS（ON）= 28 m宽的V GS = 4.5V
低栅极电荷（9nC典型）
快速开关
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）

应用/框图（S）
DC / DC转换器
马达驱动器

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