概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这一先进技术已特别定制,以最大限度地减少onstate阻力,提供出色的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些器件非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。
特点
的R DS(ON)=1.47Ω(典型值)@ V GS = 10V,I D = 1.85A
低栅极电荷(典型值9nC)
低C RSS(典型值4pf的)
快速切换
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
ESD Imoroved能力
符合RoHS标准
应用笔记
AN - 9725:健壮的身体,最后的功率MOSFET,谐振转换器的UniFET™II二极管特性(850 K)8月12日, 2011年
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