FDD5N50F

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已被特别定制，以尽量减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量雪崩和通讯模式时脉。 这些器件非常适合高效率开关模式电源suppliesand有功功率factorcorrection。

特点

的R DS（ON）=1.25Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 1.75A
低栅极电荷（典型值11nC）
低C RSS（典型值5pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
符合RoHS标准

应用笔记

AN - 9066的UniFET™连续电流模式功率因数校正的优化开关（429 K）8月19日，2011年
AN - 9067：在LLC谐振转换器的MOSFET失效模式分析（1485 K），2011年8月19日

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