FDD5690

概述

已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。
这些MOSFET具有更快的开关和低于具有可比性的RDS（ON）规格的其他MOSFET的栅极电荷。
结果是MOSFET驱动器（即使在非常高的频率），并具有较高的综合效率的直流/直流电源供应器设计，是很简单的安全。

特点

30 A，60 V的R DS（ON）= 0.027 W @ V GS = 10五，0.032诉R DS（ON）= 0.60 W @ V GS = 6 V 。
低栅极电荷（23nC典型）。
开关速度快。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。

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