FDD5680

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。

特点

38 A，60 V的R DS（ON）= 0.021 W @ V GS = 10 V，R DS（ON）= 0.025 W @ V GS = 6 V 。
低栅极电荷（33nC典型）。
开关速度快。
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）。

应用/框图（S）

DC / DC转换器
马达驱动器

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