FDD4141

概述

已采用飞兆半导体专有的PowerTrench ®技术，可提供低R DS（on）和优化BVDSS能力提供优越的性能优势，在应用这种P沟道MOSFET。 优化的开关性能能力，减少在转换器/变频器应用的功耗损失。

特点

最大R DS（ON）=12.3mΩ在V GS = 10V，I D = 12.7A
最大R DS（ON）=18.0mΩ在V GS = 4.5V，I D = 10.4A
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器
电源供应器

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