概述
这种P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench过程。 它已被优化,电池电源管理。
特点
6.7A,- 12V
R DS(ON)= 28 m宽的V GS = 4.5V
R DS(ON)= 41 m宽的V GS = 2.5V
R DS(ON)= 90 m宽的V GS = 1.8V
开关速度快
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力
应用/框图(S)
DC / DC转换器
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
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