FDC6561AN

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。
这些器件非常适合于体积小，是可取的，但所有的应用程序，特别是低成本的直流/直流转换电池供电系统。

特点

2.5一个，30个五，R DS（ON）= 0.095 W @ V GS = 10V，R DS（ON）= 0.145 W @ V GS = 4.5 V。
非常快速的切换。
低栅极电荷（2.1nC的典型）。
SuperSOT™-6包：体积小（比标准SO - 8小72％）;低调（1mm厚）。

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