FDC6506P

概述

这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。
这些设备都被设计提供出色的功耗，在一个更​​大更昂贵的SO - 8和TSSOP - 8封装是不切实际的应用程序非常小的足迹。

特点

-1.8一个-30诉R DS（ON）= 0.170 W @ V GS = -10 V，R DS（ON）= 0.280 W @ V GS = -4.5 V
低栅极电荷（2.3nC的典​​型）。
开关速度快。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
SuperSOT™-6包：体积小（比标准SO - 8小72％）;低调（1mm厚）。

应用/框图（S）

负荷开关
电池保护
电源管理

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