FDC642P

概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET使用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。
这些设备已在一个非常小的足迹较大的包是不切实际的应用提供出色的功耗设计。

特点
-4一-20五，R DS（ON）= 0.065 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.100 W @ V GS = -2.5 V
开关速度快。
低栅极电荷（7.2nC的典型）。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。
SuperSOT™-6包：体积小（比标准SO - 8小72％）;低调（1mm厚）。

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