概述
这N沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻,同时保持出色的开关性能低栅极电荷。 这些设备已被设计在一个非常小的的空间提供出色的功耗相比,具有更大的SO - 8和TSSOP - 8封装。
特点
6.2一个,20诉R DS(ON)= 0.024 W @ V GS = 4.5 V,R DS(ON)= 0.032 W @ V GS = 2.5V
开关速度快。
低栅极电荷(10.5nC典型值)。
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术。
SuperSOT™-6包:体积小(比标准SO - 8小72%);低调(1mm厚)。
应用/框图(S)
DC / DC转换器
负荷开关
电池保护
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