概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体的低电压的PowerTrench工艺。 电池电源管理应用进行了优化。
特点
-3.5 A,-20 V
R DS(ON)= 80 m宽@ VGS = -4.5 V
R DS(ON)= 110 m宽@ VGS = -2.5 V
低栅极电荷(典型值7.2 NC)
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
应用/框图(S)
电池管理
负荷开关
电池保护
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