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描述
这种装置特别适合于紧凑的电源管理在随身携带的电子装备的地方,2.5A 2.5V 8V输入和输出电流能力是非常必要的。这集的一个小N-Channel负荷开关功率MOSFET(第一)驱动的一个大P-Channel功率MOSFET(Q2)在一间小得可怜的SuperSOT™- 6的包裹。
特征
VDROP = 0.2V @ VIN = = 2.8A 5V,中华民国。0.07W R(上)= = 0.2V,VDROP 2.5V @ VIN = = 1.9A,中华民国。0.105W R(上)=。
第一场效应晶体管(控制)包括齐纳保护强度(> 6KV ESD人体模型)。
高性能PowerTrench技术on-resistance™极低。
SuperSOT -™使用铜引线框架材料包装设计提供了优良的热量和电压的能力。 全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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