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描述
这些综合负荷开关都是使用了飞兆半导体的专有,高细胞密度、DMOS技术。这极高的浓度降到最低是特别定制的过程并提供优越的开关导通状态阻力性能。这些装置特别适合低电压偏高低负荷开关应用程序中,且易于驾驶传导损失是必要的。
特征
VDROP = 0.2V @ VIN = 12伏,IL = 1A,冯·/关闭VDROP = = 1.5到8V 0.3V @ VIN = 5伏的睡眠习惯,= 1A,冯·/关闭= 1.5到8V。
高密度细胞极低on-resistance设计。
冯·/关闭齐纳保护强度:> 6KV ESD人体模型。
SuperSOT -™使用铜引线框架材料包装设计提供了优良的热量和电压的能力。 全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价------------------------------------------------------------------------------------------
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