FDC6321C

概述

这些双N＆P通道的逻辑电平增强型场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计，特别是对作为一个负载开关应用中的数字晶体管的替代低电压​​应用。 由于不需要偏置电阻，双数字FET可以代替几个不同的偏置电阻的数字晶体管。

特点

N - CH 25V，0.68，R DS（ON）= 0.45 W @ V GS = 4.5V
P - CH -25 V，-0.46，R DS（ON）= 1.1 W @ V GS = -4.5 V 。
非常低的水平栅极驱动的要求，允许在3伏电路的直接操作。 VGS（TH）<1.0V。
门源齐纳二极管的ESD坚固性。 > 6kV的人体模型
更换多个双NPN及PNP数字晶体管。

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