FDC6320C

概述
这些双N＆P通道逻辑水平的提高模场有效的晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以最大限度地减少通态电阻。 该设备是一个改善，特别是对于作为负载开关应用中的数字双极晶体管的替代低电压​​应用设计。 由于偏置电阻是不是必需的，这双数字FET可以代替几个不同偏置电阻的数字晶体管。

特点
N - CH 25V，0.22，RDS（ON）= 5个W @ VGS = 2.7 V 。
P - CH 25V，-0.12，RDS（ON）= 13 W @ VGS = -2.7 V
非常低的水平栅极驱动的要求，允许在3伏电路的直接操作。 VGS（TH）<1.5 V。
门源齐纳二极管的ESD坚固性。 > 6kV的人体模型。
更换NPN及PNP数字晶体管。

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入： 润百年@电源管理IC 
（RCC）,电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有，未经批准不得复制。