概述
这些P沟道1.8V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中,已特别定制,以最大限度地减少通态电阻,同时保持出色的开关性能低栅极电荷。
特点
-2.3一个,-20 V。
R DS(ON)= 115 m宽的V GS = -4.5 V
R DS(ON)= 155 m宽的V GS = -2.5 V
R DS(ON)= 225 m宽的V GS = -1.8 V
非常低R DS(ON),高性能的沟槽技术
SuperSOT™-6包:体积小(比标准SO - 8小72%);低调(1mm厚)
应用/框图(S)
电源管理
负荷开关
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