FDC6303N

概述
这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高细胞密度，DMOS技术。 这非常高的密度过程，尤其是量身定制，以最大限度地减少通态电阻。 本装置已设计，特别是对作为一个负载开关应用中的数字晶体管的替代低电压​​应用。 由于不需要偏置电阻，N沟道FET可以代替几个IMHxA系列等不同的偏置电阻的数字晶体管。

特点
25 V，0.68 A连续2高峰。 的RDS（ON）= 0.6 W @ VGS = 2.7 V时，RDS（ON）= 0.45 W @ VGS = 4.5 V 。
非常低的水平栅极驱动的要求，允许直接操作在3V电路。 VGS（TH）<1.5 V。
门源齐纳二极管的ESD坚固性。 > 6kV的人体模型。
替换之一的DMOS FET的多个NPN数字晶体管（IMHxA系列）。

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