FDC608PZ

概述

这种P沟道2.5V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻和出色的开关性能保持低栅极电荷。

这些设备非常适合用于电池供电应用：负荷开关和电源管理，电池供电电路，直流/直流转换。

特点

- 5.8A，- 20V的R DS（ON）=30mΩ时，V GS = 4.5V
的R DS（ON）=43mΩ，V GS = 2.5V
低栅极电荷
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
SuperSOT™C6包：占地面积小（72％比标准小，因此° C8）低调（1mm厚）

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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