FDC602P

概述

这P沟道2.5V指定的MOSFET使用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺坚固的门版本。 它已被优化的栅极驱​​动电压范围广（2.5V - 12V）电源管理应用。

特点

-5.5一个，-20 V。
的R DS（ON）= 35 m宽的V GS = - 4.5V
的R DS（ON）= 50 m宽的V GS = - 2.5V
开关速度快。
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。

应用/框图（S）

电池管理
负荷开关
电池保护

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