FDC5614P

概述

这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压的PowerTrench工艺。 它已被优化电源管理应用。

特点

-3甲-60诉R DS（ON）= 0.105 W @ V GS = -10 V，R DS（ON）= 0.135 W @ V GS = -4.5 V
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术。

应用/框图（S） 


DC - DC转换器
负荷开关
电源管理

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