FDC365P

概述

已采用飞兆半导体专有的PowerTrench ®技术，可提供低R DS（on）和优化BVDSS能力提供优越的性能优势，在应用这种P沟道MOSFET。

特点

最大R DS（ON）=55mΩ，在V GS = 10V，I D = 4.2A
最大R DS（ON）=80mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 3.2A
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器
电源供应器

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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