FDC3601N

概述

这些N沟道100V指定的MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench过程中，已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，同时保持出色的开关性能低栅极电荷。

这些设备都被设计提供出色的功耗，在一个更​​大更昂贵的SO - 8和TSSOP - 8封装是不切实际的应用程序非常小的足迹。

特点

1.0 A，100 V
的R DS（ON）= 500 m宽的V GS = 10V
的R DS（ON）= 550 m宽的V GS = 6伏
低栅极电荷（3.7nC的典型）
开关速度快
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
SuperSOT™-6包：体积小72％（小于标准SO - 8）;低调（1mm厚）。

应用/框图（S）

负荷开关
电池保护
电源管理

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