FDC3535

概述
P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽®进程，已优化的R DS（ON）开关性能和耐用性生产。

特点
最大R DS（ON）= 183MΩ，在V GS = 10 V，I D = -2.1一个
最大R DS（ON）= 233MΩ，在V GS = -4.5 V，I D = -1.9一个
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
一种广泛使用的表面贴装封装的高功率和电流处理能力
开关速度快
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）
负荷开关
同步整流

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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