FDC2612

概述
已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。

特点
1.1，200V
的R DS（ON）= 725 m宽的V GS = 10V
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
高功率和电流处理能力
开关速度快
低栅极电荷（8nC典型）

应用/框图（S）
DC / DC转换器

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