FDB8870

概述
已专此N沟道MOSFET，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。 它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。

特点
R DS（ON）=3.9米W @ V GS = 10V，I D = 35A
R DS（ON）=4.4米W @ V GS = 4.5V，I D = 35A
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
低栅极电荷
高功率和电流处理能力

应用/框图（S）
DC / DC转换器

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