FDB8453LZ

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench ®过程中，已特别针对减少通态电阻和开关损耗。 GS齐纳已被添加到提高ESD电压水平。

特点

最大R DS（ON）=7.0mΩ，在V GS = 10V，I D = 17.6A
最大R DS（ON）=9.0mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 14.9A
7.6kV典型（注4）HBM ESD保护水平
快速切换
符合RoHS标准

应用/框图（S）

逆变器
电源供应器

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