FDB7030BL

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET专门设计，以改善整体效率直流/直流转换器，PWM控制器采用同步或常规的开关。
这些MOSFET具有更快的开关和低于其他可比的R DS（ON）规格的MOSFET的栅极电荷。
结果是MOSFET驱动器（即使在非常高的频率），并具有较高的综合效率的直流/直流电源供应器设计，是很简单的安全。
它已被优化的低栅电荷，低R DS（ON）和快速开关速度。

特点

60 30 V
R DS（ON）= 9 m宽的V GS = 10V
R DS（ON）= 12 m宽的V GS = 4.5V
在高温下的临界直流电气参数
非常低R DS（ON），高性能的沟槽技术
175℃的最高结温评级

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