FDB3860

概述

这N沟道MOSFET飞兆半导体先进的功率沟槽®过程是坚固的门版本。 这部分是专为低R DS（on）和低Q 克图的优点，与雪崩的开关应用范围广泛的耐用性。

特点

最大R DS（ON）= 37MΩ在V GS = 10V，I D = 5.9
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
100％UIL的测试
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC - AC转换器
同步整流

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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