FDB047N10

概述
这N沟道MOSFET是producedusing飞兆半导体先进的PowerTrench工艺已特别定制，以尽量减少通态电阻和保持出色的开关性能。

特点
的R DS（ON）=3.9mΩ（典型值）@ V GS = 10V，I D = 75A
开关速度快
低栅极电荷
高性能沟槽技术非常低R DS（ON）
高功率和电流移交能力
符合RoHS标准

应用/框图（S）
直流到直流转换器/同步整流

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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