FDB029N06

概述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，已特别针对降低通态电阻，同时保持出色的开关性能。

特点

的R DS（ON）=2.4mΩ（典型值）@ V GS = 10V，I D = 75A
开关速度快
低栅极电荷
极低的R DS（ON）的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准

应用/框图（S）

DC到DC转换器/同步整流

全新原装进口，现 货库存，欢迎来电询价
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