概述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的adcanced的PowerTrench进程,已特别针对降低通态电阻,同时保持出色的开关性能。
特点
的R DS(ON)=1.16mΩ(典型值)@ V GS = 10V,I D = 80A
开关速度快
低栅极电荷
极低的R DS(ON)的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力
符合RoHS标准
应用/框图(S)
DC到DC转换器/同步整流
全新原装进口,现 货库存,欢迎来电询价
------------------------------------------------------------------------------------------
资料录入: 润百年@电源管理IC
(RCC),电子元器件全球独立供应 商
本条信息深圳润百年电子有限公司所有,未经批准不得复制。