FDA28N50

概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管的生产使用Failchild专有的平面条形DMOS技术。
这一先进技术已特别定制，以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。 这些设备非常适合高效率开关模式电源供应器和有源功率因数校正。

特点

的R DS（ON）=0.122Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 14A条
低栅极电荷（典型值80nC）
低C RSS（典型值42pF）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
符合RoHS标准

应用笔记

AN - 9066的UniFET™连续电流模式功率因数校正的优化开关（429 K）08月12日，2011年

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