FAN5026 PWM控制器的调节功能,提供效率高、输出电压调节两到5.5V范围从0.9v必需的I / O,chip-sets力量、记忆银行在高性能计算机、机顶盒、VGA卡。高效率的同步整流有助于在大范围的负载。甚至进一步提高效率是利用MOSFET关系型数据库(在)作为一种current-sense组成部分。
average-current前馈坡道调制,控制方案、公司内部模式提供快速响应反馈补偿负荷的电涌。180°异相操作与输入电流相位变换降低波纹。该控制器可以被转化成一个完整的DDR内存的电力解决方案通过激活指定的密码。在DDR的渠道模式,其中一个轨迹的输出电压、输出电流的另一个频道提供水槽和来源的必要因素驱动能力的DDR的晶片的面貌。所要求的缓冲参考电压这类的记忆也被提供。这些输出和监控的FAN5026产生能量分离PGx soft-start好)信号时,输出的是完成在±10%的设置点。
过压保护防止了输出电压不超过120%的设置点。自动恢复正常运行时停止。过压条件保护好插销使手机掉或者芯片的输出低于75%的价值序列之间的soft-start后这种输出是完成。可调的过流函数输出电流感应显示器上的电压降较低的MOSFET。如果精度是需要的,current-sensing外部current-sense电阻可能使用。
高度灵活,双同步开关PWM控制器,包括模式为:
同步运行的模式与DDR降低信道的干扰
90°相移,二级DDR模式降低了输入波纹
180°双独立监管机构、相移
完整的DDR内存电源解决方案
VTT轨迹VDDQ / 2
VDDQ / 2缓冲参考输出
在Low-Side MOSFET电流传感的无损检测电阻或精密过流使用
VCC使手机锁定
对宽输入范围:3V 16V
较好的动态响应和平均电流型变流器电压前馈控制
Power-Good信号
DDR-II和HSTL支持
28-Lead Thin-Shrink Small-Outline包装