产品信息：
产品型号：CSD88537ND
产品名称：MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
封装类别：8SOIC
产品批号：14+
库存数量：有库存
运费详情：国内快递包邮，国际快递包邮
付款方式：支付宝，微信，网银支付，公司美金账户
相关描述：
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms
配置: Dual
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
封装: Reel
商标: Texas Instruments
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 42 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
系列: CSD88537ND
工厂包装数量: 2500
商标名: NexFET
