说明
此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。
在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上,RθJA = 40°C/W (典型值)。脉宽 ≤300μs,占空比 ≤2%
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特性
针对 5V 栅极驱动而优化
VGS = 2.5V 时的额定电阻值
超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
低热电阻
额定雪崩能量
无铅端子封装
符合 RoHS 标准
无卤素
无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
全新原装进口,现货库存,欢迎来电询价
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