CSD16327Q3

说明
此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化

顶视图 RθJA = 45°C/W所需满足的条件是贴装在面积为 1in2 Cu (2 oz.)，厚度为0.060"的环氧板(FR4)印刷电路板(PCB)上。脉宽≤300μs，占空比≤2%

特性
针对 5V 栅极驱动而优化
超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
低热阻抗
额定雪崩能量
无铅端子封装
符合 RoHS 标准
无卤素
无引线小外形尺寸(SON)3.3mm x 3.3mm塑料封装

全新原装进口，现货库存，欢迎来电询价
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