概述
这些N沟道增强型场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,高细胞密度,DMOS技术。 这些产品已设计,以尽量减少通态电阻,同时提供坚固,可靠和快速的开关性能。 这些产品特别适合于低电压,低电流的应用,如小型伺服电机控制,功率MOSFET的栅极驱动器,及其他开关应用。
特点
0.22一个,50 V的R DS(ON)= 3.5 W @ V GS = 10 V
非常低R DS(ON),高密度的单元设计。
坚固耐用,Relaible。
紧凑型行业标准的SOT - 23表面贴装封装。
应用笔记
AN - 9041:PFCM与模拟PFC IC设计指南 (347 K)2011年8月05
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